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產(chǎn)品資料

日本AMAYA天谷制作所株式會社半導(dǎo)體單晶圓器A200V

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產(chǎn)品名稱: 日本AMAYA天谷制作所株式會社半導(dǎo)體單晶圓器A200V
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 其它品牌
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簡單介紹

日本AMAYA天谷制作所株式會社半導(dǎo)體單晶圓器A200V采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置A200V薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)抑制粒子生成緊湊的設(shè)備配置良好的階躍覆蓋率低溫工藝支持提高可維護性提高**性特征在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止


日本AMAYA天谷制作所株式會社半導(dǎo)體單晶圓器A200V  的詳細介紹

日本AMAYA天谷制作所株式會社

半導(dǎo)體單晶圓器A200V

產(chǎn)品信息

采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置

A200V

  • 薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)

  • 抑制粒子生成

  • 緊湊的設(shè)備配置

  • 良好的階躍覆蓋率

  • 低溫工藝支持

  • 提高可維護性

  • 提高**性

圖片關(guān)鍵詞

特征

  • 在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止顆粒粘附在晶圓上并進入腔室。

  • 設(shè)備尺寸已盡可能緊湊，以*大程度地減少占用空間。

  • 使用封閉腔室可消除氣體泄漏并提高操作員的**性。

性能

均勻的薄膜厚度≦±2%
支持的晶圓尺寸≦8英寸
氣體種類SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O3可選）
薄膜沉積溫度300°C~450°C
生產(chǎn)力20張/小時（500nm成膜）

主要規(guī)格

設(shè)備尺寸890毫米（寬） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高）
加熱機構(gòu)電阻加熱
裝載卸載雙滑塊，機器人CtoC運輸
分散頭（氣體噴嘴）圈


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