日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
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產(chǎn)品名稱:
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào):
Cresbox
產(chǎn)品展商:
其它品牌
產(chǎn)品文檔:
無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀測(cè)量模式可編程和圓形/方形測(cè)量兼容的繪圖軟件自檢功能，測(cè)量范圍廣厚度/周邊位置/溫度補(bǔ)償功能（硅）薄層電阻/金屬膜厚顯示功能
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀 的詳細(xì)介紹
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
-
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
-
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
-
擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
-
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀測(cè)量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
-
與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
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導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
-
擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
-
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測(cè)量規(guī)格
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀測(cè)量目標(biāo)
-
與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
-
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
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擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
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其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
