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產品資料

napson電壓激勵法超低電阻計

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產品名稱: napson電壓激勵法超低電阻計
產品型號: PVE-80
產品展商: 其它品牌
產品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統(tǒng)，因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。


napson電壓激勵法超低電阻計  的詳細介紹

日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計


 

  • 節(jié)省空間的設計主體外殼，便攜式可移動平臺

  • 通過PC（軟件）進行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理

  • 測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改

    *本產品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（號5386394）。

測量規(guī)格

napson電壓激勵法超低電阻計測量目標

與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）

測量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

  • 節(jié)省空間的設計主體外殼，便攜式可移動平臺

  • 通過PC（軟件）進行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理

  • 測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改

    *本產品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。

測量規(guī)格napson電壓激勵法超低電阻計

測量目標

與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）napson電壓激勵法超低電阻計

測量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計

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